ИССЛЕДОВАНИЕ БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ У ДИПЛОИДНЫХ ДРОЖЖЕВЫХ КЛЕТОК, ОБЛУЧЕННЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ И альфа-ЧАСТИЦАМИ

Аннотация:

В работе изучали быстрою восстановление у диплоидных дрожжевых клеток Saccharomyces cerevisiae дикого типа штамм XS 800 и его радиочувствительного мутанта XS 1898 после комбинированного облучения быстрыми электронами и ct-частицами. При этом показано, что быстрое восстановление вносит значительный вклад в регистрируемую выживаемость клеток дикого типа и отсутствуют у rad-мутанта. Эффективность быстрого восстановления при комбинированном облучении (электроны + а-частицы), оцененная по ФИД (х-частиц, ниже, чем при облучении электронами и ct-частицами по отдельности. Оценка вклада репарации в радиочувствительность клеток имеет самостоятельное научное значение, а также необходима для биофизического моделирования действия ионизирующих излучений, для радиобиологического обоснования схем комбинированной лучевой терапии излучениями с разной ЛПЭ. При комбинированном облучении клеток диплоидных дрожжей было показано, что для стандартных условий облучения и культивирования характер кривых выживаемости клеток существенно зависит от последовательности их облучения сс-частицами и быстрыми электронами. Если клетки первоначально облучались альфа-частицами, а затем быстрыми электронами, то чувствительность клеток к облучению электронами менялась сложным образом: кривые выживаемости характеризовались одним или несколькими резистентными участками [1]. В нашей предыдущей работе было показано, что эти участки можно объяснить быстрым пострадиационным восстановлением [2]. При комбинированном (<-частицы + + электроны) облучении восстановление было эффективнее по сравнению с облучением а-частицами и электронами по отдельности [3, 4]. При облучении в обратной последовательности кривые выживаемости не имели особенностей^ радиочувствительность клеток к последующему Ot-облучению практически не изменялась [1].

Авторы:

Издание: Радиационная биология.Радиоэкология
Год издания: 1998
Объем: 5с.
Дополнительная информация: 1998.-N 3.-С.451-455
Просмотров: 51